手機現在成為了我們一天當中與我們相處最久的物品，也隨著現在的手機遊戲及app越來越多，容量及電磁耗電量都成了關鍵，凊華大學工學院長賴志煌與物理系教授林秀豪，帶著博士生林柏宏丶楊博元組成了跨領域團隊，成功研發岀夢幻磁性記憶體「MRAM」的核心技術，且登上了國際期刊。
原本半導體業使用的動態隨機存取記憶「DRAM」較為耗電，體積也已經逹到縮小的極限，因清華團隊的新的核心技術，讓國際大廠英特爾丶三星、台積電近年都紛紛投入「MRAM」的開發。
根據《自由時報》的報導,研究團隊將在未來未來採用磁性記憶體手機丶平板待機時間竟可延長至少一倍以上。利用電子自旋流來操控鐵磁丶反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉不僅有助於擴大記憶體容量，而且即使斷電資料也不會消失。
林秀豪解釋了「MRAM」運作的原理，原來電子除了帶電荷以為還具有自旋特性，當電子自轉時會產生極微小的磁矩,就像在晶片上形成千萬個微小的磁鐵，可以藉由小磁鐵的北極向上或向下來決定0與1的記憶，因此不運算時就不必供電，且就算運算到一半斷電，資料也不會消失。
過去因為室溫下熱能會讓磁鐵震動，磁鐵太小的時候就會抵抗不住熱能隨機翻轉，所以在上方加上反鐵磁，就像夾子一樣固定住,但是又造成翻轉困難，只能靠升高溫度並搭配大磁場才能翻轉，林柏宏也說明了現「MRAM」處理資料的方式，是透過電子自旋流來控制磁鐵向上或向下的方向，翻轉磁鐵來處理資料。
這項研究也獲得了學界內頂尖的期刊認可，代表這不僅是磁性記憶體的突破，也為自旋電子學的發展带來嶄新視野，目前技術也已經申請了美國丶台灣和中國專利，希望他們能繼續努力，讓台灣發明在全世界都發揚光大，相信在未來大家對於手機的使用效能也佳了！
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